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Infineon Technologies IRFS3307ZPBF
| Artikelnummer: | IRFS3307ZPBF |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
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Infineon Technologies IRFS3307ZPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments IRFS3307ZPBF.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 150µA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse D2PAK Serie HEXFET® Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.8mOhm @ 75A, 10V Verlustleistung (max) 230W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Paket Tube Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4750 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 75 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 120A (Tc) IRFS3307ZPBF Einzelheiten PDF [English] IRFS3307ZPBF PDF - EN.pdf -
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